随着存储器的发展,NAND Flash(NAND闪存,以下所述闪存特指NAND型闪存)凭借大容量、低功耗、低成本等优点已经成为了当下最主要的存储介质之一。但由闪存自身结构原因造成的可靠性问题已成为了闪存发展的一大阻碍。由此,闪存可靠性测试平台的研发具有非常重要的意义。而且,近年来,闪存技术不断更新:单元容量从最初的SLC、MLC发展到现在的TLC、QLC;结构从2D发展为3D。在工艺水平提高的同时,闪存的特征尺寸不断减小,沟道氧化层不断变薄,这意味着闪存相较之前更加容易出错。闪存的可靠性问题亟待解决。但到目前为止,国内外均没有成熟的闪存测试方案,尤其是针对闪存可靠性的测试,国内外的测试设备几乎还未涉足。基于此,本文设计了一套通用型闪存测试平台,该平台不仅实现了对闪存的常规测试如数据干扰测试、工作电流测试、数据保留测试等,还以―智能算法建模‖的方式实现了对闪存可靠性的主要指标——寿命比较精准的预测。本文首先在国内外闪存测试现状的基础上讨论了本平台研发的意义;接着分析了闪存芯片的存储原理以及闪存中存在的主要错误类型;之后对测试平台的主要组成部分:专为该平台设计的闪存控制器、固件设计、上位机软件设计方案进行了详细的介绍;最后对测试平台的功能进行了验证。本平台的上位机软件以及硬件、固件均是自研发,创新地利用遗传算法和神经网络算法对闪存芯片进行建模,实现了对闪存寿命的预测以及闪存芯片的分类。实验结果表明,预测算法的预测准确度能够达到90%以上。通过配套的测试软件简化了测试操作,最终结果以图表的方式在软件界面显示,能够更加直观地展示测试结果。