自从1991年Nichia公司成功研制出GaN基蓝光LED后，GaN基蓝光LED得到了迅速发展。LED以其低耗能、长寿命、绿色环保等优点，成为2l世纪的新一代照明光源。随着III-V族半导体工艺的日趋成熟，LED芯片研制不断向高效高亮度方向发展。随着其应用越来越广泛，如何提高GaN基LED的发光效率越来越成为关注的焦点，影响LED发光效率的因素主要有内量子效率与外量子效率，外量子效率的提高成为半导体照明LED关键技术之一。传统的芯片切割方式因其效率低，成品率不高已逐渐落伍，不能满足现代化生产的需要，目前激光切割方式正逐渐取代传统切割，而激光切割对GaN基LED芯片外量子效率产生一定的影响，如何降低激光对LED出光的影响，提升GaN基LED外量子效率成为目前研究的热点课题之一。本文主要通过实验和分析研究了紫外激光划片方式、SD划片方式对LED芯片外量子效率的影响，并对两种不同的切割方式对LED芯片外量子效率的影响作了比较，发现激光划痕造成的发光损耗面积越大，对芯片外量子效率的影响也越大，芯片亮度越低。通过理论分析与实验研究发现，紫外激光划片对LED芯片亮度的影响可达14.21%，SD划片对LED芯片亮度的影响约为4.63%，通过优化SD划片工艺，减少了激光划痕造成的发光损耗，使芯片亮度比紫外划片工艺提升10.84%，有效提升了器件的发光效率。