为了满足现代高性能火炮和航空航天技术对点火快速性、一致性、安全性的要求,半导体桥(Semiconductor Bridge,简称SCB)火工品逐渐发展起来。本文以SCB火工品为研究对象,针对SCB点火机理和点火过程进行理论研究与数值模拟分析,主要内容如下:a)通过对SCB相关特性、传热机制、临界能量、输入能量等方面的分析来研究SCB的点火机理。b)对传统的火药点火理论作了非傅立叶热传导效应的修正,通过分析强瞬态非傅立叶热传导过程,建立SCB点火的一维球形模型和二维柱状模型,采用Dufort-Frankel差分格式来实现两种模型的数值计算,分析火药直径、等离子体温度、吸收层厚度等因素对SCB点火性能的影响;c)结合SCB点火的一维球形模型,运用蒙特卡洛方法进行随机模拟,分析随机因素对SCB点火性能的影响。