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本文采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法，选用局域密度近似（LDA）下的CA-PZ交换相关势，选择超软赝势，对具有正交和菱方钙钛矿结构的LaGaO3晶体的几何结构、电子性质、布居数和弹性性质进行计算和分析。并选用广义梯度近似（GGA）下的PBESOL交换相关势，赝势选择on the fly，对(La7/8Nd1/8)GaO3、(La3/4Nd1/4)GaO3和(La7/8Sr1/8)GaO3晶体的结构与性质进行了研究。这对于新型掺杂LaGaO3材料的开发和应用具有重要的指导意义。 几何优化得到的晶格参量与实验值吻合较好，说明我们选取的计算方案可靠。能带的计算结果表明正交和菱方LaGaO3晶体都是间接带隙半导体，带隙值分别为3.670eV和3.803eV。费米面处较低的态密度值以及对布居数的分析都表明，正交LaGaO3比菱方LaGaO3具有更好的稳定性。分波态密度和布居数的计算结果表明，两种晶体都是离子键和共价键混合型晶体。O-LaGaO3晶体的延展性比R-LaGaO3的好，R-LaGaO3晶体的硬度稍大。 对(La7/8Nd1/8)GaO3和(La3/4Nd1/4)GaO3晶体的计算与分析表明，随着化合物中Nd含量的增加，Ga-O键的共价性和La-O键的离子性减弱，GaO6八面体的稳定性减弱。对晶体的结构和电子性质的计算分析表明，(La7/8Sr1/8)GaO3晶体的空间对称性比O-LaGaO3晶体的好。它是间接带隙半导体，带隙值为3.569eV。与O-LaGaO3晶体相比，Ga-O之间的平均布居数值减小，化学键的共价性减弱，即GaO6八面体的稳定性减弱。