硅纳米线具有其独特的电子传输性质,场发射特性等因而可应用于多种纳米电子器件,然而由于生长机制的限制,目前报道过的硅纳米线及其阵列的制备大都需要高温的环境、复杂的设备以及较长的反应时间,而且制备过程中还需要硅烷等剧毒的易爆危险气体,因而成本较高。针对上述问题产生的根源,从寻找新的硅纳米线生长机制出发,采用一种制备条件简单的硅微纳米线及其阵列技术,并且在接近室温下制备出了硅微纳米线阵列。　　 本文采用了无电金属沉积的技术,于50℃时的HF/AgNO3/Si体系溶液中,AgNO3和HF的浓度分别为0.02mol/L、4.6mol/L,在硅表面进行选择性的刻蚀制备出了硅微纳米线的阵列,同时得到了分等级结构的银树枝状晶体；硅微纳米线的长度可以通过选择合适的Ag+浓度和腐蚀时间来进行调控。为了研究基体硅在HF/AgNO3溶液中的腐蚀行为,对硅表面的微观形貌演变进行了系统的研究,Ag+和HF浓度过会使反应速率加快,硅表面成无序状；反应温度也会加快硅片的腐蚀速率,使得硅微纳米线结构消失,并且对硅表面微结构的演变进行了维象解释。为了进一步研究硅微纳米线的形成机制,我们在反应体系溶液中加入络合剂,使其与Ag+络合产生一个新的平衡,降低了溶液中游离Ag+的浓度,抑制其反应速率,得到了多孔网状的硅结构和树枝状的银晶体,这对银颗粒形貌的演变及其控制的研究提供了依据。而在HF/H2O2溶液对硅的腐蚀行为研究验证了银粒子的催化作用,对硅表面形貌的演变有了进一步的认识。结合实验现象与硅的电化学腐蚀原理,提出了一种金属银枝晶辅助的沉陷机制,并且利用这种机制对硅微纳米线阵列结构的形成原因进行了合理的解释。