该论文工作主要是利用射叔反应磁控溅射方法研究锐钛矿型和金红石二氧化钛薄膜的制备及其电学和光学性质,同时与程氏二级层理论进行了对比分析.首先,利用XRD对不同沉积参数下制备的薄膜的相结构进行了系列研究,得到了不同沉积条件下TiO<,2>薄膜相结构的变化规律,发现工作气压的降低,配比中氧含量的增加都有利于金红石相的生成,并对变化的机理进行了一定的分析;然后,用Raman光谱的方法测定分析了TiO<,2>薄膜厚度在几十纳米情况下的结构;接着,制备了NiMnCo-TiO<,2>、高掺杂Si(100)-TiO<,2>复合材料,通过对这些复合材料系列电学性质的研究,验证了程氏二极层理论;最后,首次发现了TiO<,2>薄膜厚度在二极层内时吸收光谱由原来在紫上区的吸收转移到了可见区的吸收,这是由于界面电子转移产生的结果.电子转移改变了TiO<,2>电子能级结构,在光的作用下产生了新的电子跃迁,这一跃迁出现在可见区,这一现象出现在界面电子转移产生的程氏二极层厚度内.