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热电材料可以实现热能和电能的直接相互转换,在余热利用、便携式电动制冷、深空卫星探测器电源等领域有实际的应用。热电材料主要有半导体晶体、化合物及其材料,其中Bi2Te3、PbTe、SiGe是目前实际应用的几种主要热电材料。SnSe晶体是一种极具应用潜力的新型半导体热电材料。SnSe具有正交晶系,层状结构,超低晶格热导率（0.23W/m·K,923K）,是一种结构简单、环境友好、化学性质稳定的层状半导体材料,成为国内外研究热点。但是,SnSe具有层状结构,容易解理,传统生长方法无法获得大尺寸、高质量的晶体,因此开展SnSe单晶生长的系统研究非常重要。本文采用水平布里奇曼法生长了SnSe单晶,获得尺寸为35×15×15mm3和35×20×15mm3的高质量SnSe单晶,并分别加工了（400）、（020）、（002）等多个方向的片状晶体。利用自主研发的物理综合性质测量系统测试电导率和Seebeck系数,采用激光导热仪测试热扩散系数D、比热Cp和热导率κ,利用热膨胀仪测试热膨胀系数△L/L,利用维氏硬度仪、纳米压痕仪测试了SnSe单晶的力学性能参数,包括硬度、弹性模量等。研究结果表明,SnSe的电导率和热导率具有明显的各向异性。ZT值从300K升温至520K,ZT（400）和ZT⊥（400）的ZT值缓慢增加接近各向同性,ZT（400）从0.04缓慢增加到0.06,ZT⊥（400）从0.04增加到0.05。当温度从520K上升到800K时,ZT（400）和ZT⊥（400）都达到最高值,分别为1.1和0.24,两个方向的ZT值差异明显增大。随着温度的继续升高,ZT（400）和ZT⊥（400）的值快速下降,在850K时分别达到0.5和0.05,表明从Pnma到Cmcm的相变对热电性能的增长具有较大的影响。首次实验测得了c轴的负膨胀系数-4.27%,与文献相吻合。分别获得了（400）和（020）面的硬度和弹性模量,其数值介于GaAs与CdZnTe之间。