随着深亚微米(Deep Sub-micron, DSM)设计工艺下 VLSI 电路集成密度、复杂度、布线层数的增加,以及电路工作频率达到数 GHz,电感效应对电路性能的影响已逐步显现。因此,在提取寄生电容的同时,快速准确地计算随频率变化的互连寄生电感电阻已成为高性能 VLSI 电路设计中不可或缺的一个环节。 目前,在已提出的互连寄生电感电阻提取模型当中,能够将三维涡流效应纳入考虑范围的为数不多,而且大多由于计算复杂度太大而未能形成实用的计算软件。 本论文提出一种能考虑三维涡流效应的提取随频率变化的寄生电感电阻的边界积分方程模型。该模型具有如下特点:1. 模型以假设分布于不同区域交界面上的虚拟磁流密度、磁荷密度 以及标量电位为待求解的未知变量;2. 作为一种边界元模型,它只为每个边界元分配 4 个未知变量,这 使得它在数值计算上具有较大的潜在速度优势;3. 模型抛弃了电流只沿导体轴向流动的假设,可用于计算相互垂直 导体之间的电感电阻。此外,它不对导体的几何形状加以限制, 适用于复杂三维互连结构的电感电阻提取。 数值实验计算结果表明了该模型的正确性及计算可行性。