太阳能储量巨大、不受地域限制和绿色清洁等特点使其在解决人类能源危机和改善环境污染方面起着决定性作用,光伏发电正在不断成为当下以及未来蓬勃发展的可再生能源领域的重要组成部分,光伏技术的快速发展有望加快全球双碳目标的实现。当前,高效率、低成本硅基太阳能电池领域的研发一直是光伏业界研究的热点,降低硅基电池光学损失（高效制绒）和电学损失（新型结构设计）是实现太阳能电池高效光电转换效率关键。针对当前单晶硅锭线锯切割过程中导致的硅片表面沾污影响后期高效制绒的问题,本文系统研究了硅片表面沾污的形态及引入机制,基于研究结果提出硅片表面沾污清洗工艺,同时系统研究了表面沾污对金属辅助化学刻蚀行为的影响,同时开发了新型制绒工艺并实现了硅片表面超低反射率倒金子塔绒面的制备。首先,本论文系统地研究了硅片表面三种沾污的成分及来源,分别对沾污硅片进行了铜刻蚀和铜沉积的实验,来研究硅片表面沾污对刻蚀和沉积的影响。研究结果表明:白点沾污主要成分含有Si、Ca、C、O四种元素,与切割时所用的耗材粘棒胶成分一致;白斑沾污的成分主要为Si元素,形貌与切割硅废料同为片层状结构;卡尺印沾污主要含有Na、Si、O、C、F五种元素,其化学组成与切割液相似。在刻蚀和沉积的实验中发现,粘棒胶沾污会阻碍硅片与刻蚀液接触,造成刻蚀不均匀,由于存在浓差极化效应,导致铜沉积不均匀。卡尺印沾污硅片经过刻蚀和沉积后,硅片表面仍然有沾污残留。白斑沾污硅片经过刻蚀后,沾污下方硅片未被刻蚀,沾污处铜颗粒的沉积量远大于其他区域,最后,白点沾污、白斑沾污、卡尺印沾污分别在KOH溶液协同超声处理5min、80s、40s后,硅片表面沾污均被完全去除。其次,本论文研究了阴、阳离子表面活性剂及阴阳离子复配表面活性剂对金属辅助化学刻蚀单晶硅制绒的影响,通过对比硅片的刻蚀速率、反射率及硅片表面微观形貌,发现复配表面活性剂比单一表面活性剂对提升硅片刻蚀速率更加明显,同时对复配比例进行优化设计,发现阴离子表面活性剂SDS与阳离子表面活性剂CTAB在复配比例为1:2时,刻蚀效果最佳,形成的倒金字塔绒面结构更加均匀致密,且结构完整。最后,本论文又探索了刻蚀温度、刻蚀时间、复配表面活性剂浓度对刻蚀的影响,并在次基础上,探索出最优的工艺条件,通过实验发现当刻蚀温度为35℃、刻蚀时间为6min、复配表面活性剂浓度为0.014m M时,在硅片表面制备出的陷光结构性能最优,反射率低至5.5%,相比于不加入表面活性剂,刻蚀速率提升约13倍,该方法为将来实现产业化制备倒金字塔绒面结构提供了新思路。