高居里点压电薄膜材料的研究是信息功能陶瓷材料研究的前沿领域。本论文研究高居里点Bi（Me）O₃-PbTiO₃材料体系，其中主要是BiScO₃-PbTiO₃（BSPT）体系压电薄膜材料的制备以及结构和性能的影响因素进行分析研究。首先，简要介绍溶胶－凝胶法在Pt（111）/Ti/SiO₂/Si衬底上制备多晶BSPT薄膜的工艺以及薄膜结构性能的表征方法，讨论了成分对其结构性能的影响。对介电、铁电、压电随薄膜厚度的变化及相关物理机制进行较为详细的讨论，表明界面层的性质对薄膜的各项电学性能有重要影响，薄膜厚度的增大能有效提高压电、介电性能。其次，主要讨论了高度（100）择优取向的BSPT薄膜的制备和及其性能。详细研究利用PbO晶种层进行高度（100）择优取向的多晶BSPT薄膜的制备工艺并探讨了其生长机制；结果表明同时在界面和薄膜体内引入PbO晶种层，对提高薄膜的（100）择优取向度最为有效，且择优取向程度不随薄膜厚度增大而减小，950nm薄膜的Lotgering因子f时仍高达0.92。高度（100）取向的BSPT薄膜具有优异的性能，压电系数高达150pm/V。另外采用LaNiO3缓冲层也制备了（100）择优取向BSPT薄膜的制备，压电系数高达120pm/V，同时还有效改善了薄膜的疲劳性能。然后，采用溶胶-凝胶法制备了Bi（Me）O₃-PbTiO₃其它材料体系的多晶和外延压电薄膜。在Pt（111）/Ti/SiO₂/Si衬底上制备了BiSc_1/2Fe_1/2O₃-PbTiO₃，Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-PbTiO₃（BZT-PT）以及BZT-BS-PT体系多晶薄膜并对其性能进行研究，其中BZT-PT薄膜具有很高的居里温度，PT含量为0.7时超过600℃，压电系数约为40pm/V。采用溶胶－凝胶法又在（001）SrTiO₃（STO）单晶衬底上制备出外延生长的（001）BZT-PT薄膜，并具有优异的铁电和压电性能，剩余极化强度是相应多晶薄膜的将近三倍；而压电系数达到了75pm/V以上，比取向多晶BZT-PT薄膜的提高了将近一倍。最后，通过改变单晶基底在水热釜中的放置位置，采用水热法在STO单晶基底上制备出了致密平整厚度超过3微米并且是外延生长的BSPT厚膜，并对水热法制备的外延厚膜的独特性能进行研究。利用电泳沉积法对在模板上沉积BSPT纳米管阵列的制备工艺进行研究，分析了不同沉积条件（沉积电压、沉积电流、溶胶浓度等）对沉积样品的形貌和结构的影响，并初步表征了制备的BSPT纳米管阵列的铁电压电性能。