摘要：随着科学技术的飞速发展,硅基光电集成被公认为是提升信息传递速度的有效途径之一,但如何制备高效稳定的硅基发光器件仍是当前研究的难点。SiC作为第三代半导体材料,有很多的优良特性,特别是其优秀的光电性能,使它成为光电集成领域的优选材料。目前,对nc-SiC量子点研究主要集中在多孔碳化硅、和富nc-SiC的SiO2薄膜(SCRSO薄膜)方面,其中多孔碳化硅效率较高,但稳定性差,而SCRSO薄膜虽然解决了多孔碳化硅稳定性差的问题,但目前采用的离子注入法不能对nc-SiC的尺寸进行多维的控制。直到现在,这些问题依然没有得到很好的解决。我们为了解决这些问题,设计了一种新的富nc-SiC的SiO2薄膜的制备方法：采用频磁控反应溅射和高温相分离等技术制备富nc-SiC的SiO2薄膜,获得nc-SiC量子点。并结合傅里叶红外吸收光谱(FTIR)以及光致发光光谱(PL)等测试手段,对富nc-SiC的SiO2薄膜的生长过程和发光机理进行了分析研究。首先,验证了我们所设计的富nc-SiC的SiO2发光薄膜的制备方法,然后,通过改变薄膜制备过程中的制备条件,优化了薄膜的制备方法,得到了最佳衬底温度,退火温度和时间分别为500℃、900℃和1小时。最后,选用氧气作为反应气体,通过调节氧气的含量,成功制备了光致发光波长可调的nc-SiC量子点,得到了其445nm-630nm连续变化的可见光光致发光。