在过去二十年中，为了有效利用量子点的高色纯度，高光致发光量子产率和光物理稳定性，量子点发光二极管已得到广泛研究。在传统的QD-LEDs器件中，作为空穴注入层材料的PEDOT:PSS，具有较高的透过率，较高的功函以及良好的载流子传输性能。然而，PEDOT:PSS的酸性和吸湿性极易腐蚀 ITO电极，影响器件的发光显示性能及稳定性。为解决该问题，多种材料被用来替代PEDOT:PSS。其中，过渡金属氧化物，如WO3、MoO3、NiO、CuOx和V2O5等，由于具有良好的稳定性和优异的载流子迁移率而受到广泛的关注。在这其中，铜的氧化物（CuOx）作为典型的p型半导体材料，在提高空穴注入方面具有一定优势，并成功的在太阳能电池领域得到应用。CuOx膜的制备方法较丰富，如真空沉积法、化学合成法、溶液法等。其中溶液法制备工艺简单、成本低，便于在全溶液法QD-LEDs中应用。　　本论文主要围绕溶胶凝胶法制备CuOx薄膜及其在QD-LEDs器件中的应用展开工作。设计基于CuOx空穴注入层的多种器件结构，研究CuOx具有的空穴注入能力。进一步设计CuOx/PEDOT:PSS叠层复合结构，平衡器件中的载流子浓度。同时，复合结构减少对ITO的腐蚀，增加器件的稳定性。本论文将从以下三个方面开展工作：　　（1）CuOx薄膜的溶胶凝胶法制备及其表征。采用乙酰丙酮铜作为前驱体材料，氯苯为溶剂，通过溶胶凝胶法制备 CuOx薄膜。分析表明，选取不同浓度的前驱体溶液成膜，其粗糙度均相对较小，有效填补了ITO电极的表面缺陷，使其表面光滑平整，并且具有相当高的透过率。结构表征显示，CuOx薄膜的表面化学成分不是单一的，而是一价铜与二价铜的混合物，确保了CuOx为p型半导体，适合用作空穴注入层材料。　　（2）以 CuOx薄膜作为空穴注入层，设计如下 QD-LEDs器件结构：ITO/CuOx/TFB/QDs/ZnO/Al。优化膜厚度、退火温度、UV-O3处理时间等实验参数，不同条件下的处理能够改变膜表面的化学组成及形貌，经优化可得到合适的Cu+:Cu2+比例和价带位置，提高空穴注入效率，从而提高器件的性能。最终得到最高亮度为27860 cd/m2、最大电流效率为11.34 cd/A、最大功率效率为5.74 lm/W的QD-LEDs器件。同时，通过UPS的表征发现：CuOx的加入，能够影响TFB的能级位置，降低了空穴注入势垒，使空穴注入更加方便，从而使器件性能得到提高。　　（3）设计CuOx/PEDOT:PSS复合结构作为空穴注入层用于QD-LEDs器件，优化实验参数，提高器件性能，并研究相关机理。将CuOx插入在ITO与PEDOT:PSS之间，一方面CuOx能够填补ITO表面的缺陷，使得PEDOT:PSS在较为平整的表面上成膜，得到更加光滑平整的薄膜；另一方面，由于CuOx的价带顶位于ITO与PEDOT:PSS之间，可形成“阶梯化”能级，减小空穴注入势垒，使空穴注入更加方便，进一步提升空穴和电子在发光层的复合几率。经复合结构优化的器件，最高亮度可达60200 cd/m2，与标准器件相比，提高约24％。器件的电流效率和功率效率则分别为33.03 cd/A及24.70 lm/W，与标准器件相比，增加幅度分别为32%及39%，同时，EQE可达7.80%，提升明显。进一步对器件进行的寿命测试也表明，复合结构的器件具有更优异的稳定性。