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随着信息产业和互联网产业的高速发展，数据需求量越来越大。硬盘作为数据存储行业中最重要的部分已经不可替代，提高磁记录存储密度成为适应信息产业高速发展的途径之一。目前，商业化磁记录技术已经从水平磁记录顺利过渡到了垂直磁记录，存储密度超越了150 Gbit/in2，实验室范围内已经达到了614.4Gbit/in2。虽然离垂直磁记录的极限密度1-1.5 Tbit/in2已经近在咫尺，但记录密度的进一步提高仍然依赖于新的介质结构设计和新的记录技术的共同进步。制约垂直磁记录密度提高的主要因素是超顺磁效应，为了克服晶粒减小所带来的热扰动性的影响，需要寻找高磁晶各向异性的材料作为记录介质。寻找新的记录介质、改善已有记录介质的性能成为本文所研究的主要目的。 下面是本论文研究的主要内容： 1、高磁晶各向异性MnAl薄膜的研究：铁磁性τ-MnAl具有较高的磁晶各向异性常数(KU=1.7×107 erg/cm3)，是理想的磁记录介质之一。本文研究主要是通过两个方面改善样品的磁性能。首先，利用制备楔形膜的方式来精确控制τ-MnAl产生的元素配比，并且通过观测其△M曲线研究MnAl颗粒间的相互作用方式和磁性翻转模式。其次，通过制备缓冲层引导后续薄膜生长，在得到较好τ-MnAl缓冲层的条件下，制备出了具有较好磁性能的τ-MnAl样品。 2、FePt基交换耦合结构和梯度型结构介质研究：虽然FePt具有很高磁晶各向异性，但其矫顽力较大，使记录信息很难写入。在保持热稳定性的条件下有效降低写入场是我们研究的主要目的。本文以L10-FePt为基础，通过溅射Fe和Co的方式来制备交换耦合结构和梯度型结构介质。结果证明两种材料均有效地降低了L10-FePt的矫顽力，并且显示较好的垂直特性。其次，讨论了硬磁软磁耦合翻转的两种理论模式，并且通过实验观测到了磁壁辅助磁化翻转模式，第一次从实验上得到了证实。