【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，室温下能带带隙Eg为3.37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV)，保证了其在室温下较强的激子发
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氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，室温下能带带隙Eg为3.37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV)，保证了其在室温下较强的激子发光，因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料，自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来，ZnO研究已成为继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点。氧化锌的原材料资源丰富、价格便宜、对环境无毒无害且适合于外延生长，在信息显示领域有广泛的应用前景。 本文介绍了采用电子束蒸发方法在Si衬底表面上制备出了具有C轴择优取向的高质量氧化锌薄膜材料，另外，还采用共蒸发(通过电子束蒸发与热蒸发同时进行)及后退火的简单方法制备出包埋到介电物质MgO薄膜中的ZnO量子点材料。并采用X射线衍射谱、透射和吸收光谱和光致发光谱、低温光致发光谱等测量手段对样品的结构和光学特性进行了表征。并对氧化锌的紫外发光和缺陷引起的可见光发射的强度变化进行了分析。 实验结果表明利用电子束蒸发技术制备的ZnO薄膜材料，在经过氧气气氛下的退火处理后，能够表现出较好的发光和结构特性；用共蒸发与后退火相结合的方法能够制备出包埋在MgO介电基质中的ZnO量子点材料，这为开展低维半导体的研究开辟了新的途径。
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