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横向功率器件的比导通电阻(Ron.sp)和击穿电压(BV)之间存在超线性关系Ron,so(?)BV2.5,因此Ron,sp和BV的折衷关系是功率器件的主要问题。本文以此为研究方向,研究了以下3种新器件结构。(1)提出了超低比导通电阻SOl双槽双栅MOSFET。此MOSFET的特点是拥有两个氧化物槽以及两个多晶硅栅。首先,源漏之间的氧化物槽不仅折叠漂移区,而且调制电场,从而增大器件耐压；其次,双栅形成双导电沟道,从而减小比导通电阻。当器件的半个元胞尺寸为3μm时,击穿电压BV为93V,比导通电阻Ron,sp为51.8mΩ·mm2。与SOI槽栅MOSFET和SOl双槽MOSFET相比,在相同的BV下,SOI双槽双栅MOSFET的Ron,sp分别降低了63.3%和33.8%。(2)提出了具有埋N岛结构的高压SOI LDMOS器件。高压阻断状态下,耗尽N岛中的电离施主使电场单调上升,增大埋氧层电场。另外,N岛间隙内形成空穴积累层,保证埋氧层的高电场。因此,器件耐压提高。n型漂移区、p型SOl层、不连续N岛之间有很好的自隔离效果,省去了在功率集成电路中做深槽介质隔离。当SOI层厚度为201μm、埋氧层厚度为4μm时,埋N岛LDMOS耐压为673V,且在高压集成电路中实现自隔离,较常规LDMOS的耐压提高了38.2%。(3)提出了具有P埋层的变kPSOI器件(简称：变k BPSOI).变k介质使埋层电场增强,硅窗口使衬底承受电压,从而增强纵向的平均电场；p埋层、硅窗口、变k介质界面处引起电场尖峰,调制器件横向电场。因此,器件耐压提高。p埋层的辅助耗尽作用使漂移区浓度提高,从而使比导通电阻降低。硅窗口降低自热效应(Self-Heating Effect, SHE)。与常规PSOI相比,变k BPSOI的耐压提高43.6%、比导通电阻降低26.5%。借助二维仿真软件MEDICI和TSUPREM4,对以上器件的耐压机理及各项重要结构参数进行了分析,并设计了可行的工艺实施方案。与国内某研究所合作,成功的对部分器件结构进行了流片,并对样品进行了测试分析。