本文在有效场理论和切断近似框架内,研究横向晶场和键随机的混合自旋系统的临界行为和磁化性质。展示了新的补偿现象和阈值效应。　　首先,研究了横向晶场和外场下S=1/2和S=1的简立方晶格的混合自旋系统的补偿行为。在M-T和M-h空间内,系统分别展现了温度补偿点和磁补偿点(Tk和hk)。在零或非零磁场下,正横向晶场诱导单或双温度补偿点;负横向晶场不诱导或诱导单温度补偿点。横向晶场可以诱导和调节单磁补偿点。在弱磁场和强横向晶场的共同作用下可以观察到磁化曲线产生复杂的振荡。当温度升高,可以诱导磁补偿点的正/负横向晶场的范围呈现相反的变化趋势,同时振荡现象受到削弱。横向晶场对温度补偿点和磁补偿点的影响在此工作中被着重讨论。　　其次,研究了横向晶场和二模外场下S=1/2和S=1的简立方晶格的键稀疏混合自旋系统的阈值行为。A型双三临界点和蛇形重入现象可以在纯键和强二模外场的情况下被观察到。由于键稀疏的存在,有序相被急剧削弱。在寻常键逾渗阈值下,正横向晶场可以诱导磁有序相。二模外场可以压制诱导有序相并形成一系列闭合有序区域。定义了非寻常键逾渗阈值,在非寻常键逾渗阈值时诱导有序相彻底消失。讨论了二模外场和键逾渗阈值对诱导有序相的不同作用。