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枝晶生长是凝固过程中常见的晶体生长方式之一,其过程影响着材料的微观组织和力学性能,所以研究其生长动力学有着重要的理论意义和应用价值。凝固过程中,熔体内不可避免地存在着对流作用,经典的LKT/BCT模型已经不能很好地描述枝晶生长过程。静磁场可以有效地抑制熔体流动,从而可以通过改变磁场强度来实现不同的对流环境。因此,有必要对不同静磁场下纯物质过冷熔体中的枝晶生长速率规律进行研究,为枝晶生长理论模型的修正提供可靠的实验数据。本文采用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法实现了静磁场中纯Ni和Ni3Sn