【摘 要】
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该文用化学共沉淀法,以无机盐为原料制备纳米ATO(Antimony Doped Tin Oxide)导电粉体,研究了沉淀剂、锑含量、加料方式、反应温度等沉淀反应工艺条件和煅烧温度、煅烧时间等
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该文用化学共沉淀法,以无机盐为原料制备纳米ATO(Antimony Doped Tin Oxide)导电粉体,研究了沉淀剂、锑含量、加料方式、反应温度等沉淀反应工艺条件和煅烧温度、煅烧时间等热处理工艺条件对ATO粒子粒性和导电性能的影响,优化制备工艺,制备出了具有四方相金红石结构,颗粒为球形,晶粒粒径小于30nm,体积电阻率为小于10Ω·cm的ATO导电粉体.以ATO粉体作原料,采用湿法球磨工艺制备出分散稳定性好的纳米ATO水性浆料,解决了纳米ATO粉体严重团聚的问题,考察了pH值、分散剂的种类和用量、研磨介质的大小和用量、研磨时间等分散工艺条件对ATO浆料分散稳定性的影响.选择最佳工艺条件和合适的分散剂制备出pH值为6~8、平均粒径小于130nm的ATO水性浆料,该浆料在室温下存放至少5个月没有沉降.
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