【摘 要】
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为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝(eFUSE)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装
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为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝(eFUSE)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、可以在封装之后再进行配置等众多优点,因而其在现代集成电路设计中扮演着越来越重要的角色。本文首先总结了eFUSE当前的国内外研究现状,深入分析了影响熔丝结构的各项参数,并且对现有结构进行深入分析,指出当前结构存在的瓶颈问题,并且提出了结构优化的具体方案。接着对项目方案进行规划,按照进度对各种改进方案进行制造、测试、数据收集和整理、结果的SEM观察,分析第一轮结构设计中的利弊,综合考虑用于第二轮结构开发。最后,设计出eFUSE的优化器件结构实例,经过数据测试和温度加速失效可靠性验证,该优化结构熔断率高、熔断后电阻值大、分布窄,可靠性高。
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