太赫兹技术近年来成为热点研究领域,在通信、电子对抗以及医学成像等民用军用领域前景广阔。太赫兹系统研究重点是单片集成电路与高集成度片上系统的发展。第二代半导体材料磷化铟（InP）有优异的高频性能,基于磷化铟材料的双异质结晶体管（DHBT）因此成为热门的太赫兹器件,以大功率、高线性度的优势推动太赫兹技术的进步。本文首先从InP DHBT器件的工作特性入手,分析了 0.25 μm InP DHBT工艺的基极-集电极间的多缓变梯度层在降低导带势垒尖峰的功能,基于DHBT器件的特殊效应介绍了工艺中不同手段对基区扩展效应的应对方法,并指出器件的模型建立过程中可能忽视的影响,对器件模型进行直流仿真,确定了在340GHz.的直流偏置点。第三章介绍了放大器的技术指标以及基于导通角的放大器分类,讨论了设计放大器需要注意的指标和功能取舍,为第五章放大器的设计提供理论基础。第四章根据第二章器件工艺的相关内容,采用三层金属互联结构实现了太赫兹频段的低损耗薄膜传输线,对电路中MIM电容、薄膜电阻和GSG PAD等无源结构进行了三维全波电磁仿真,以降低高频损耗为目的对电路无源结构进行了建模和优化,为第五章匹配方法提供了数据支撑。第五章提出了原理图综合设计方法。将第四章的功能单元纳入原理图设计,利用传输线进行对功能单元电路的整体匹配,考虑到无源寄生效应,降低寄生效应误差并提高了太赫兹电路设计效率与精度。基于所提出的设计方法设计了一款340 GHz放大器,采用在片小信号S参数测试系统和功率测试系统进行测试。测量结果显示设计的放大器电路在频率范围325-342 GHz以内小信号增益超过10 dB,输出功率大于2 dBm,在340GHz小信号增益达到10.43 dB,输出功率为3.24 dBm。