铌酸锂晶体(LiNbO3，LN)具有较弱的光折变效应。在LN晶体中掺入Fe2O3，生长出的掺铁铌酸锂(Fe(:)LN)晶体具有优异的光折变性能。这些优良的性能使其成为最有前景的体全息存储光折变材料之一。　　 光折变效应机理的研究是光折变材料用于实际器件的重要前提，对于掺铁铌酸锂晶体的光折变效应中光电子的迁移过程的研究，目前已建立了两种电荷传输模型，一种是双中心带输运模型，一种是跳跃模型，两种模型分别能解释一些光折变现象，但所描述的电荷迁移方式却是完全不同的，无法确定到底哪一种模型更接近于光致电荷迁移的真实过程。针对这一问题，本论文的通过测量光电导的瞬态暗衰减特点，深入研究了掺铁铌酸锂晶体的光致电荷迁移的微观过程。　　 本论文主要采用测量光电导瞬时衰减的方法研究了掺铁铌酸锂晶体的光致电荷迁移过程。实验过程中，利用该晶体对光谱具有分波段吸收的特点，采用了恰当波长和脉冲强度的脉冲激光器;根据掺铁铌酸锂的电导值范围，选择合适的测量仪器来组建了实验平台。并分别在不同强度的脉冲光照射下依次对不同掺铁浓度的样品晶体进行了实验，得到了大量真实有效的实验数据，通过对实验数据的分析，初步得出了光电导的暗衰减特性。在此基础上建立了光致电荷迁移模型，经过理论推导出光致电荷迁移的过程方程，并将计算出的理论结果与不同条件下的实验结果进行了对比分析，从而得出了本文结论。　　 实验结果表明，利用光电导的瞬时暗衰减法可以区分跳跃传输的电子和带传输的电子的迁移方式。从对实验结果的分析中可以得出以下结论:在较高光强照射后，光电导将以指数和扩展指数叠加的形式衰减，因此得知，光电子在导带中迁移的同时，也在小极化子上发生了跳跃迁移。