【摘 要】
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相较于THz辐射和探测技术的快速发展,THz调控技术的研究仍处于初始阶段。由于具有良好的光学各向异性效应,一维金属和半导体纳米材料,特别是一维纳米材料有序阵列,近年来在THz调制领域引起了极大的关注。本文以Ni纳米线为研究主体,探究了Ni纳米线有序阵列对THz波的调控。主要的研究成果如下:（1）利用THz时域光谱技术研究了Ni纳米线阵列的有序性和偏振特性。结果表明Ni纳米线有序阵列具有良好的光学各
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相较于THz辐射和探测技术的快速发展,THz调控技术的研究仍处于初始阶段。由于具有良好的光学各向异性效应,一维金属和半导体纳米材料,特别是一维纳米材料有序阵列,近年来在THz调制领域引起了极大的关注。本文以Ni纳米线为研究主体,探究了Ni纳米线有序阵列对THz波的调控。主要的研究成果如下:（1）利用THz时域光谱技术研究了Ni纳米线阵列的有序性和偏振特性。结果表明Ni纳米线有序阵列具有良好的光学各向异性效应。密度为3.0×108cm-2的有序阵列的偏振度和消光比分别为97.2%和18.6d B;（2）制备了聚二甲基硅氧烷（PDMS）/Ni纳米线有序阵列/聚二甲基硅氧烷三明治结构的机械可调THz宽带调制器。（3）设计并制备了应力拉伸平台,利用此平台研究了PDMS/Ni NW/PDMS三明治结构对于THz波的动态调控。结果表明:a)当沿着纳米线的径向施加拉伸应力时,Ni纳米线阵列的光学各向异性得到了明显的提高;b)当应变从0%增加至6.5%时,器件的调制深度是线性增加的;c)当应变为6.5%时,在0.3-2.4THz频率范围内,器件的平均调制深度为79%,且在0.76THz时达到89%的最大调制深度;d)此器件在0.3-2.4THz频率范围内没有特征吸收峰,具有THz波的良好宽带调制特性。
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