NiO是一种二元的宽禁带的透明氧化物半导体薄膜,室温下NiO薄膜的禁带宽度为3.6-4.0eV。虽然比目前研究广泛的透明半导体材料ZnO大一点点,但是仍不能实现“太阳盲”探测。为了改变NiO薄膜的禁带宽度,我们就要对NiO薄膜进行适当的掺杂,使得NiO薄膜的带隙向太阳盲波段4.43eV(4.43eV-280nm)靠近。因此,本论文采用射频磁控溅射的方法制备NiO薄膜,然后通过选择适当的元素,对NiO薄膜进行掺杂,使得其带隙位于“太阳盲”波段,为NiO基制备“太阳盲”紫外光探测器提供支撑。本论文主要工作如下：(1)在制备未掺杂的NiO薄膜制备时,我们主要采用射频磁控溅射直接制备和反应制备NiO薄膜,并对其结构特性、光学特性、光学带隙、电学特性进行分析研究。(2)通过理论分析,选择了Mg元素进行掺杂,期望能带向太阳盲方向延伸,并对Mg掺杂后的MgNiO薄膜进行了结构特性、光学特性、光学带隙和电学特性的分析研究。