【摘 要】
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采用真空热蒸发法分别在玻璃、单晶硅(111)、(100)和二氧化硅片上制备CdO薄膜和稀土镝掺杂CdO薄膜并对薄膜进行热处理。对薄膜进行物相结构、表面形貌、电学、光学特性等测试
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采用真空热蒸发法分别在玻璃、单晶硅(111)、(100)和二氧化硅片上制备CdO薄膜和稀土镝掺杂CdO薄膜并对薄膜进行热处理。对薄膜进行物相结构、表面形貌、电学、光学特性等测试，研究工艺条件、掺杂含量、不同衬底及热处理温度和时间等对CdO薄膜的晶相结构、晶粒尺寸、表面形貌、光学和电学特性等性质的影响。 实验显示：以高纯CdO粉末作为蒸发源，在不同衬底上生长的CdO薄膜，经不同工艺条件的热处理后，可获得性能良好的CdO薄膜。实验给出在玻璃衬底上制备的薄膜最佳热处理为T=550℃，t=20min；在硅及二氧化硅衬底制备的薄膜最佳热处理条件为：T=650℃，t=30min。XRD图给出制备的CdO薄膜均有沿(111)晶向择优生长的趋势，粒径尺寸较为均匀在32.57nm～67.93nm之间。 稀土Dy掺杂可促进CdO薄膜晶粒的生长，薄膜的平均粒径从未掺Dy时38.12nm变至48.49nm。SEM图给出薄膜表面平整、致密、颗粒均匀。经热处理后薄膜出现颗粒聚集现象，随热处理温度升高颗粒聚集更为明显。 随掺Dy含量的增加，CdO薄膜的性质发生变化，其中掺Dy含量为5at％的薄膜经热处理后显示出较好的性能。薄膜的薄层电阻总体来讲都较小(量级均在KΩ以内)，随掺Dy含量的增加薄膜的薄层电阻呈先升后降趋势。掺Dy和热处理可降低薄膜的薄层电阻，低掺杂对薄膜电阻影响不大，当掺Dy含量高于5at％时薄层电阻的变化趋势比较明显。能谱分析图初步显示CdO的化学计量比
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