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近些年来,择优取向的PZT薄膜由于良好的介电、铁电以及压电等性能而被广泛应用于能量收集器、红外传感器、铁电存储器以及喷墨打印头等设备中。本文通过磁控溅射法在溶胶凝胶缓冲层上制备PZT薄膜。主要包含以下内容:(1)探究PZT陶瓷靶材的制备工艺。利用固相烧结法制备不同组分的PZT陶瓷靶材,工艺参数为:球磨转速为300 r/min,球磨时长24 h;预烧温度为850℃,保温2 h;烧结温度保持在1050℃,保温2.5 h。以自制靶材为原料得到的PZT薄膜表现出(111)择优取向和完全的钙钛矿结构。(2)研