【摘 要】
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该文工作采用超高真空多靶磁控溅射设备分别以直流和射频溅射方式,研究了Ge/Si及Co/Si超晶格与多层膜材料的制备.对溅射过程中各种工艺参数对Ge/Si和Co/Si薄膜的影响进行了讨
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该文工作采用超高真空多靶磁控溅射设备分别以直流和射频溅射方式,研究了Ge/Si及Co/Si超晶格与多层膜材料的制备.对溅射过程中各种工艺参数对Ge/Si和Co/Si薄膜的影响进行了讨论,得到了优化的溅射条件:氩气压强为1.5Pa~2.5Pa,溅射模式为射频溅射或直流溅射,射频溅射率为70W~150W,直流溅射功率为70W,最佳补底加热温度为400℃,制备过程中样品自转保证了薄膜的均匀性.这些优化的工艺参数进一步得到X射线小角衍射和喇曼散射的实验证实.通过喇曼散射,红外付里叶光谱、X射线小角衍射的研究观察到了Ge、Si材料和Si-H键存在于Ge/Si薄膜中;Co、Si材料和Si-H键存在于Co/Si薄膜材料中;通过计算机模拟确定了多层膜的周期结构参数,如周期厚度,各亚层厚度及界面粗糙及互混等.用喇曼散谱表征出在2.5Pa、400℃、直流75W功率下制备厚为13.5nm的Ge薄膜为单晶材料,为进一步用磁控溅射制备低温下的Ge/Si超晶格创造了条件.
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