GaN基材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和稳定性好等优势。基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）结构在微波通信和大功率应用等领域都具有非常广泛的应用前景。GaN基材料的一大优势就是可以形成各种异质结构,AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化获得的高浓度和高迁移率的二维电子气更是得到了广泛的应用。近年来兴起的晶格匹配AlInN/GaN异质结构,在不存在压电极化的情况下也能提供高浓度二维电子气,具备广泛的应用前景。本文研究了 ICP氧化对AlInN肖特基二极管的影响,并制备了基于无栅HEMT结构的AlInN电化学传感器。金属-绝缘体-半导体（MIS）结构器件具有漏电流小、抗电场击穿能力强等优势。虽然已经有很多关于制备MIS结构中绝缘层的研究,但是很少有利用ICP制备MIS结构的报道。ICP刻蚀是GaN基材料器件制备的常用工艺,如果能利用ICP对器件进行等离子氧化形成绝缘层将简化工艺。我们使用ICP氧化AlInN表面后制作了肖特基二极管,XPS分析显示AlInN表面生成了一层氧化层,而Ⅰ-Ⅴ测试却发现ICP氧化会造成不稳定的电流特性。在初次测试中,处理后的样品反向漏电流降低三个量级,但是经过正向扫描后再立即测试发现漏电流会急剧上升到与未处理样品一样的水平。我们通过各种电流传输模型拟合后推测这种异常现象与ICP处理后产生缺陷的充放电有关,并提出了基于氮空位缺陷的模型来解释异常电流的产生。位于费米能级之上的缺陷能级只在正向电压扫描会俘获电子而在反向电压扫描时释放电子造成了漏电流增大,使用该模型可以很好的解释观察到的结果。GaN基材料具有良好的化学稳定性,适合制备电化学传感器。我们基于HEMT结构制备了可应用于水质阴离子监测的AlInN电化学传感器。传感器的工作原理是在栅区组装上一层基于离子印记技术的聚合物分子膜来做功能化修饰,聚合物分子膜一旦捕获被测离子就会造成栅区域电势变化而影响沟道电子浓度,通过源漏电流的变化就能判断是否检测到了被测阴离子。因为使用了 AlInN薄势垒层,传感器的灵敏度要高于同类型的AlGaN传感器,同时,通过检测不同的阴离子发现这种基于分子印迹技术的传感器具有很好的离子识别性。