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利用FJL560Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备Ge/Si量子点样品，以自组装Stranski-Krastanov(S-K)生长模式的热力学及动力学理论为基础，利用原子力显微镜(AFM)技术和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征，系统地研究了C诱导层对Ge/Si量子点形貌、密度、尺寸、组分等的影响以及生长机制的分析。 本论文采用离子束溅射技术，具体围绕以下几个方面展开工作: 1.通过改变诱导层C的生长厚度，在n型Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品，利用AFM和Raman对样品表面形貌和结构进行了表征，系统地研究了生长厚度对Ge量子点生长的影响，结果表明:当C层的厚度从0nm升高到0.05nm时，Ge量子点的密度逐渐增大，且结晶性变好，此时，Si-C键的形成导致浸润层表面粗糙度增大;当C层的生长厚度从0.05nm继续增加到0.15nm过程中，Ge量子点的密度开始减少，结晶性也有所变差，此时，C原子之间会发生相互融合，破坏了c(4×4)重构，导致浸润层表面粗糙度减小;并在0.05nm时生长的量子点密度达到最大，此时密度为5.5×1010cm-2。获得了离子束溅射生长高质量Ge量子点的C层理想厚度。 2.通过改变诱导层C的生长温度，在n型Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品，利用AFM和Raman对样品表面形貌和结构进行了表征，系统地研究了生长温度对Ge量子点生长的影响，结果表明:当C层的温度从600℃升高到700℃时，Ge量子点的密度逐渐降低，且结晶性变差，此时，Si-Ge互混加剧;当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中，Ge量子点的密度逐渐增大，结晶性也有所改善;并在750℃时生长的量子点密度达到最大，此时密度为1.325×1011cm-2。获得了离子束溅射生长高质量Ge量子点的C层理想温度。 3.通过改变诱导层C的退火时间，在n型Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品，利用AFM和Raman对样品表面形貌和结构进行了表征，系统地研究了退火时间对Ge量子点生长的影响，结果表明:当C层的退火时间从0min升高到5min时，Ge量子点的密度逐渐增大，且结晶性变好，此时，Si-C键的形成抑制了Si原子向量子点中的扩散;且在退火5min时，样品的密度达到1.325×1011cm-2;当C层的退火时间从5min继续增加到15min过程中，Ge量子点的密度开始减少，结晶性也有所变差，此时，C原子之间会发生相互融合，破坏了c(4×4)重构。获得了离子束溅射生长高质量Ge量子点的C层理想退火时间。