本文采用基于密度泛函理论框架下的全势线性缀加平面波加局域轨道（FPLAPW+LO）的方法,对Ⅱ—Ⅵ族硫属化合物及其合金的结构和性质等进行了研究,主要做了以下四个方面的工作。在Ba（X=S,Se and Te）的电子结构和性质的研究中,通过对其能带结构的理论计算,得到在NaCl结构下BaX的能带具有Γ→Χ的间接带隙特性的结果,澄清了关于它们的带隙类型（直接或间接）的争议;我们采用了合适的局域轨道,计算得到的带隙值与以前的理论计算相比有较大改进。计算了材料的介电函数和反射谱,以研究其光学性质。研究了旋轨耦合（spin-orbit coupling,SOC）对光学性质的影响,发现在高能区的影响比较明显。在BaSxSe1-x合金的电子结构研究中,发现合金的晶格常数及体态模量随合金中硫的浓度线性变化。计算得到的带隙值与晶格常数的关系与Davlven的理论一致。在ZnSxSe1-x合金的结构和性质研究中,我们首次在理论上计算ZnSxSe1-x合金的光学性质。计算了晶格常数、能带结构和态密度,并基于计算的能带结构分析了光学吸收峰了来源,阐明了变化规律的微观机理。在SrSe晶体的结构和性质研究中,分别得到了在NaCl相和CsCl相下的电子结构和光学性质随压强的变化规律。发现晶体的带隙无论在NaCl相下还是在CsCl相下都随压强线性减小,这与最近的实验结果相一致。