铁电存储器由于其具有非易失性、抗辐射性、高可靠性等优点而可以广泛应用到军事和生活的各个领域，但是它还存在着很多的缺点。失效是铁电存储器实现广泛应用的一个重要绊脚石。铁电存储器的失效包含着疲劳、印记和保持，而漏电流是与这三个失效方式都相关联的一个重要因素，所以研究如何调节漏电流的大小是我们阻碍铁电存储器失效的一个重要方式，因此本文以铁电电容的漏电流为研究对象，从理论上寻找减小漏电流的方法，希望能为减小漏电流提供一些指导意见。主要研究内容如下：（1）基于空间电荷限制电流的基本模型，我们通过泊松方程可以找到电流同介电常数的关系。同时，介电常数又可以通过极化对电场的偏导求得。这样我们最终可以建立极化和漏电流的关系。我们选取的极化方程是Hang-Ting Lue中的极化方程。在此极化方程中，应变、温度、应力和频率会对电滞回线的矫顽场有影响，通过该极化方程，这些因素肯定会对极化值产生影响，最终通过建立的极化同漏电流的关系得到应变、温度、应力和频率对漏电流的影响。所以我们最终可以得到影响漏电流的因素以及它们与漏电流和应变之间的关系。（2）在影响漏电流的因素中，应变和温度对漏电流的影响较大，把这两个因素结合起来，结合空间电荷限制电流模型，研究在生长在立方基底上的单晶单畴铁电薄膜，这种薄膜只有极化值P₃， P₁P₂0时，根据漏电流同极化值和介电常数之间的关系，我们得到了电流随应变和温度变化的分布图。正负电场下，铁电薄膜的极化值分别对应着铁电存储器的两种存储状态，我们研究了在正电场下，漏电流随着压应变的增大而减小，负电场下，电流趋势相反，考虑退极化场时，漏电流压应变的增大而增大。（3）在实际生长的铁电薄膜中，大多数都是P₁、P₂和P₃都存在的情况，而且不同的极化值对应不同的相。所以我们结合应变和温度两个因素研究在不同相下，漏电流随应变和温度变化分布图。研究了分别在退极化场、正电场和负电场情况下，漏电流的分布图。并得到在这三种电场情况下，极化值和介电常数随应变和温度变化的分布图，也得到在不同相下介电常数和极化值的分部。通过这些分布图，我们可以找到利用应变来调节漏电流的方法以及解释漏电流变化的原因。