碳纳米管是迄今为止最为优异的场发射材料，因此引起了人们的极大兴趣，进行了广泛深入的研究。尽管在碳纳米管阴极及其场发射方面已经取得了长足的进步，然而大量的基础性工作还远未完成。本文通过研究碳纳米管薄膜的不同方法制备，探讨了它们对场发射性能的影响。主要内容包括： 1．碳纳米管与纳米TiO₂分散剂、银导电剂、聚乙烯醇缩丁醛浆料复合成膜，于400℃处理后得到场发射阴极。场发射测定结果表明，该方法具有稳定性好，场发射电流强度大等特点。通过对碳纳米管筛选后制得的场发射阴极，其开启场强为0.45V／μm，阈值场强为0.72V／μm（1mA／cm²时为阈值场强）。 2．研究了脉冲激光沉积方法制备碳纳米管场发射阴极薄膜，场发射测定结果表明，开启场强为2.69V／μm，阈值场强为5.09V／μm。当电场强度为9.00V／μm时，最大电流密度可达到15.41mA／cm²。这是一种新的方法，还未见文献报道。 3．用脉冲激光刻蚀碳纳米管场发射阴极薄膜，其相应的开启场强为2.47V／μm，阈值场强为3.47V／μm。 4．对不同制备方法的场发射性能进行了比较，并对各种影响因素进行了讨论。