本论文在水相制备CdTe纳米晶的基础上，对CdTe纳米晶进行后处理，研究了光、吡啶等对CdTe纳米晶的荧光性能的影响。得到了如下研究结果：1.研究了光吡啶等对CdTe纳米晶荧光性能的影响。结果表明:在吡啶或仅光照时进行后处理，均不能使CdTe纳米晶的荧光量子产率得以提高。而在光和吡啶同时存在时进行后处理则可明显提高CdTe纳米晶的荧光量子产率。2.研究了光的波长及强度对CdTe纳米晶荧光性能的影响。采用不同波长的光进行后处理，发现只有采用能量大于CdTe纳米晶禁带的光照射CdTe时能有效的提高其荧光量子产率。改变光的强度时发现，弱光照射对提高CdTe纳米晶的荧光量子产率有利。3、研究了部分吡啶衍生物对CdTe纳米晶荧光性能的影响，提出了光及吡啶共同作用下提高CdTe纳米晶荧光性能的腐蚀与表面钝化的竞争机理。