近年来,紫外 LED技术的快速发展使得紫外 LED应用于半导体照明以及其他许多领域。目前商用紫外LED在390nm以上波段较为成熟,但传统的365nm紫外光源在工业固化等领域有重要的用途,因此研究并获得成熟的365nm波段紫外LED制造工艺对紫外LED的进一步应用具有重要的意义。　　除应用于紫外光固化领域,紫外LED还可替代紫外汞灯应用在身份验证,条码识别,水的杀菌,体液检测和分析,蛋白质分析和药物发明,医学光照疗法,辨伪,表面除菌、美容除菌等领域,有着非常广泛的市场需求。　　本文介绍了制备 GaN基365nm波段紫外 LED的几个关键技术,实现了370nm以下紫外发射的UV-LED结构。为解决短波长UV-LED器件工作电压高的问题,本文还给出了一种利用重掺杂 p型层和超晶格插入层的方法,可有效降低紫外LED工作电压。　　本文针对紫外 LED的多量子阱有源层进行了研究,通过控制 InGaN/GaN多量子阱的In组份,实现了368nm波长发射的UV-LED,在350mA的驱动电流下,紫外光输出功率可达30mW,但器件工作电压很高。　　为降低器件工作电压,提高器件的紫外发光效率,本文对紫外LED的接触层进行了深入研究。通过对接层中P+GaN层的Mg流量掺杂调整,将368nm紫外LED的工作电压由5.88V降至3.59V。并进一步通过在P型层和接触层之间插入P-AlGaN/GaN超晶格,将紫外LED工作电压由3.35V降低至3.09V。