在集成电路设计中，经常需要用到稳定的参考电压源。用简单的电流源作为集成电路的偏置源有不可避免的缺点，例如，电流源输出电流与电源电压成比例，并对温度敏感等。因此，需要设计出能克服以上缺点的精密参考源。近年来，模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术一起得到了飞速的发展，芯片系统集成（system on chip）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块，如A／D、D／A转换器，滤波器电路以及锁相环等电路提出了更高精度及速度的要求。由于带隙基准源电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响，这就使得片内集成的带隙基准源电路成了模拟集成电路芯片中不可缺少的关键部件。 在这些电路中，基准电压源的特性(如基准电压值V_REF、温度系数TC、温度范围T_R、功耗等)直接决定着这些电路的性能。随着数模混合电路和模拟集成电路的进一步发展，在集成电路内部设计中需要更高质量的内部稳压参考源，对内部稳压参考源的性能提出了更高的要求，例如，低温度系数、低运放失配、低输出噪声和高电源抑制比等。由于转换器系统的分辨率的提高，对基准电压的温度稳定性的要求也相应增加。然而，由于输出电压的温度特性是一条曲线，一阶温度补偿的基准电压的温度稳定性具有一定的局限性。为了克服带隙基准的这个缺点，发展了一些诸如二阶曲率补偿，指数型曲率补偿，直接对V_BE进行线性化，温度分段补偿等针对基准的温度曲率进行补偿的基准电路。 本文在详细介绍带隙基准一阶补偿技术的基本原理的基础上，对二阶曲率补偿，指数型曲率补偿，温度分段补偿等带隙基准的温度补偿技术的原理进行了