论文部分内容阅读
二硫化钼(MoS_2)是过渡金属硫族化合物的代表材料,由于其特有的光电特性和谷电子学等性质,使MoS_2在诸多领域得到了广泛的关注和研究。与传统的半导体材料相比,二维材料的厚度非常薄,且具有较好的柔性,有利于缩小器件的尺寸,制造柔性电子器件,并且MoS_2具有很高的载流子迁移率和开关比,同时超高的比表面积更扩展了MoS_2的应用领域,是后硅时代具有发展潜力的半导体材料。体相MoS_2相邻层间是靠较弱的范德瓦尔兹力连接,层内则靠共价键连接。MoS_2体材料的禁带宽度为1.2 e V,为间接带隙半导体,