长脉冲无箔二极管的设计和实验研究

来源 :西安交通大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dzxxdzc2
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
论文首先对电子的发射、电子束的形成和电子束的传输进行了讨论,其中主要讨论了爆炸发射的发射方式和使用引导磁场传输电子束的方法;然后对无箔二极管进行了结构设计,其中主要对真空绝缘子、阴阳极结构和引导磁场系统进行了设计;再后,对空心阴极无箔二极管进行了数值模拟,其中主要模拟了二极管内的电场,磁场大小和螺线管位置、阴阳极间距等对输出电流的影响.最后对无箔二极管进行了实验研究,通过仔细的调试,二极管最后得到了脉冲宽度为1.3μS、能量为500keV、电流为3.2kA的脉冲电子束.
其他文献
制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年,但是真正引起重视还是在1961年6H-SiC以及1994年4H-SiC单晶材料的商品化之后,在20世纪90年代中后期SiC才得到重大发展.该论文的工作就是
有机电致发光器件(OLED)是一种高亮度、宽视角、全固化的主动发光型显示器件.该文介绍了两方面的内容,一是借用已发展得十分成熟的液晶显示控制驱动器HD44780来实现OLED矩阵显
发光二极管(LED)以其寿命长、发光效率高、节能、响应速度快等特性著称,作为二十一世纪新一代照明固体光源已经受到科技界和产业界的重视,大量用于普通照明、LCD背光源、LED显
我国西南喀斯特峰丛洼地因受地形和反信风等的影响,干、湿季节分明。旱季降雨量极少、气候干燥、气温较高、蒸发强烈,干旱缺水情况突出。雨季来临时,旱情虽稍有缓解,又因岩溶水大
获得硅基发光是实现硅基光电子集成、硅基显示的关键,因此人们对于硅基发光材料的关注程度与日俱增.该论文首先对于硅基锗掺杂二氧化硅薄膜(Ge:SiO)的紫光发射(PL)、电致发光(EL)特
随着电子技术的快速发展,电子系统小型化和工作频率越来越高已经成为一种趋势。微波电路经历了从低频到高频,从单层到多层并向高密度的集成电路发展,然而微波电路中互连封装所引
植物发育生物学是生物学研究热门之一,且植物胚珠发育是植株发育、苗木快繁和大规模生产的基础,因而关于植物胚珠发育的问题成为当前的研究热点.油松胚珠发育时间长,是研究裸
实验发现部分UV-110硅紫外增强型光伏探测器的开路电压在一定光强下出现峰值,随后开路电压随光强增大反而下降的异常光电特性,这种异常特性尚未见报道.在实验和深入分析该异
丝状真菌的遗传转化是真菌研究领域的热点课题之一,用于丝状真菌遗传转化研究的分子标记获得也是热门的研究领域。YS4108菌(Phoma herbarum)为本实验室采用多种活性追踪方法,从
美国著名心理学家克伦( C. A. Curran)指出:师生间要有一种相互信任、相互支持的关系,为学生建立起一个心情舒畅的学习环境,使得学生能够充分发挥他们的主观能动性。良好的师生