半导体光催化制氢技术是将太阳能转化为氢能的有效途径之一。为实现该技术的规模化应用,开发可见光响应、高效、稳定的光催化制氢材料成为该领域的关键性问题。通常来说,负载助催化剂有利于降低反应过电势和增加催化反应活性位,从而提高光催化制氢活性。研究表明,层状结构二硫化钼（MoS₂）作为助催化剂可显著增强光催化活性。为此,本论文将MoS₂负载于硫化物半导体表面来增强光催化制氢活性,主要研究内容和结论归纳如下:1.采用溶剂热法将MoS₂负载于球状CdS表面,以0.45 mol/L Na₂S和0.55 mol/L Na₂SO₃混合液作为牺牲试剂,比较了MoS₂的负载量对光催化制氢活性的影响。结果表明,在可见光照射下,5wt%MoS₂/CdS复合材料表现了最高的光催化制氢速率,达到372μmol·h^-1。而且,420 nm单色光下的表观量子效率为7.31%。MoS₂/CdS复合材料光催化制氢活性显著增强归于MoS₂作为助催化剂促进光生电荷载流子的有效分离。2.采用溶剂热将MoS₂负载于Cd_0.8Zn_0.2S固溶体表面,制得了MoS₂/Cd_0.8Zn_0.2S复合材料。以乳酸为牺牲试剂,可见光照射下,5wt%MoS₂/Cd_0.8Zn_0.2S复合物显示出最佳的光催化制氢活性,速率为991μmol·h^-1。由此可见,将MoS₂负载于Cd_0.8Zn_0.2S固溶体将进一步增强光催化制氢活性。3.采用一步水热法制备CdMoO₄/CdS@MoS₂三元复合材料。以乳酸为牺牲试剂,比较了CdMoO₄/CdS@MoS₂三元复合材料与CdMoO₄/CdS,MoS₂/CdMoO₄,MoS₂/CdS二元复合材料光催化制氢活性。结果表明,CdMoO₄/CdS@MoS₂三元复合材料显著增强光催化制氢活性。