近年来,人们发现反铁磁材料具备太赫兹级别的超快频率特性以及电控磁特性,有望成为下一代超高密度、超快速信息存储材料的有利候选之一。由于反铁磁材料具备极小杂散场特性,其磁化状态探测及调控一直成为研究难题。因此,一种由铁磁性多层膜组成的人工反铁磁结构备受人们的关注,特别是基于稀土(RE)与过渡金属(TM)界面反铁磁性耦合的人工反铁磁材料引起人们极大的兴趣。本文利用磁控溅射制备了CoFeTaB/Gd多层膜,且在不同温度下进行真空退火。通过结构表征、磁学测量、电学测量以及相关理论分析,研究了退火温度对CoFeTaB/Gd多层膜磁电特性的影响并揭示了其相关物理机制。具体如下:1、利用磁控溅射和真空退火的手段制备了CoFeTaB/Gd多层膜。2、利用X射线衍射、原子力显微镜、透射电镜对CoFeTaB/Gd多层膜的结构和成分进行分析。3、利用综合物性测试平台对样品的磁学特性、样品的铁磁共振特性、样品的电学特性进了行探究。通过这一系列的研究,目的在于探索CoFeTaB/Gd多层膜中各层之间的磁耦合规律,为最终该系列多层膜的调控和应用提供理论基础。我们发现不同退火温度显著影响着CoFeTaB/Gd多层膜的结构特征,退火会促进界面处元素的相互扩散和Gd层的晶化。制备的多层膜具备明显的分层特征,界面明显,退火处理之后成分不变。同时也会影响其磁学特性,影响宏观磁性的一个原因就是退火改变了界面的粗糙度。而且退火温度对RE与TM之间的界面反铁磁耦合有着一定的影响。通过进一步对其进行的铁磁共振和磁输运特性的分析,证实了退火会改变过渡金属层和稀土层反铁磁耦合的界面区域。这些探索为制备高质量人工反铁磁材料提供了参考依据,为自旋电子学器件的研发提供了更多的材料选择。