近二三十年来，以铁电存储器的应用，例如铁电随机存储器（FRAM），铁电场效应晶体管（FFET）为目标，人们广泛开展了铁电薄膜与半导体集成的研究。其中广泛使用的存储材料PbTiO₃，Pb（Zr,Ti）O₃，Pb（Mg,Nb）O₃中PbO的含量高达60～70％，这在制备和使用的过程中，会给人类和环境带来危害。而且Pb（Zr,Ti）O₃薄膜使用Pt电极存在严重的疲劳现象，极化随翻转次数的增加而减小，使器件失效。虽然利用金属氧化物电极可以提高其抗疲劳性，但是这种电极不易制备并且会增加漏电流。SrBi₂Ta₂O₉薄膜由于具有优异的抗疲劳特性，成为过去几年引人注目的铁电材料，但是其合成温度相对较高且剩余极化较低。研究发现利用逐层退火、加入阻挡层以及元素取代等方法，可以缓解这两大难题。Bi₄Ti₃O₁₂薄膜在超过～10⁸次翻转后，会出现明显的疲劳现象，自1999年以来，不断出现利用镧系元素对Bi₄Ti₃O₁₂薄膜进行改性的报道。 Na_0.5Bi_0.5TiO₃与K_0.5Bi_0.5TiO₃作为两种环境协调型材料目前备受关注，是近几年研究的无铅热门材料。它们都属于钙钛矿结构的驰豫铁电体，且具有相同的通式：ABO₃，其中Na⁺和Bi³⁺或者K⁺和Bi³⁺占居了A位，Ti⁴⁺占居了B位。对于Na_0.5Bi_0.5TiO₃陶瓷或晶体材料的研究开展了不少工作，例如：压电、铁电、热释电性及光学性能等。由于K_0.5Bi_0.5TiO₃陶瓷或晶体材料制备相对困难，对它们的研究就少一些。但是关于Na_0.5Bi_0.5TiO₃与K_0.5Bi_0.5TiO₃薄膜的研究却是少之又少。 我们认为有必要探索新型铁电薄膜材料或对已有的材料进行改性研究。本文从实用环保的角度出发，对Na_0.5Bi_0.5TiO₃-K_0.5Bi_0.5TiO₃二元体系及其掺杂镧系元素（Nd、Sm、Pr）的Bi₄Ti₃O₁₂薄膜进行了制备及性能研究。 铁电薄膜及相关集成器件的制备应满足以下几点：①用适当的方法沉积铁电薄膜，并且能与金属或导电氧化物电极集成到一起；②与集成器件工艺相兼容，例如：用尽可能低的温度在衬底上制备出具有特定微观结构的薄膜材料；③制备与器件应用相符的薄膜，薄膜高取向或多晶，或异质结构具有某种特性；④能够制备出某种模式结构，超晶格或层状异质结构；⑤沉积过程可以重复；⑥沉积速率高且成本低。 我们从以上要求出发，选用金属有机溶液沉积法（MOSD）制备前驱体溶液，