硅MOS器件尺寸遵循摩尔定律不断缩小,现已接近其物理极限。硅基应变材料(锗硅和应变硅)以迁移率高、能带结构可调、且与传统的体硅工艺兼容等诸多优点,成为保持半导体行业继续遵循摩尔定律发展的新材料技术。论文讨论了硅基应变材料生长动力学,研究了硅基应变技术的原理,深入讨论了硅基应变材料的能带结构以及其传输特性,解释了硅基应变材料提高迁移率的原理。论文深入研究了硅基应变材料CVD生长的边界层理论、Grove理论及菲克第一定律。基于CVD生长动力学的计算流体动力学理论,论文重点研究了硅基应变材料CVD生长动力学中的计算流体动力学物理参数模型。采用计算流体动力学软件FLUENT,论文构建了基于RPCVD技术的反应室腔体模型,定义了反应室腔体模型的气体进出口边界条件和壁面边界条件。利用FLUENT软件,论文模拟仿真了反应室腔体的温度分布、气体浓度分布、压力分布和气体速度矢量分布,分析了进口流速、托盘转速和反应室压强对温度分布、密度分布、压力分布和速度矢量分布的影响。