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随着微电子技术水平的不断提高，SRAM呈现出更高集成度、更快速及更低功耗的发展趋势。近年来，集成SRAM的各种系统芯片已屡见不鲜，它们在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本与功耗等方面都起到了积极的作用。本文主要针对应用于MCU的嵌入式128Kb静态存储器的设计进行了详细的阐述。文章结合存储单元静态噪声容限（SNM）及软误差率（SER）的分析，对静态六管单元进行了优化设计，在保证缩小芯片面积（存储单元的尺寸为：10.8×14.8um2）的同时提高了存储单元的工作稳定性(SNM6T=713mv)。设计中采用了存储阵列划分、分级字线以及CMOS正反馈差分读出放大器等先进技术，读写速度可达到20ns。并且由于采用阵列划分技术，电路功耗减小为传统设计的1/8。芯片采用0.6um CMOS硅栅双阱双层多晶双层铝互连的制造工艺，芯片尺寸为：6.31×4.57mm2。SRAM的字长可在×8b、×16b、×32b间自行配置，方便了用户的使用。