高压纳秒双指数电磁脉冲源研制

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电磁脉冲具有陡前沿、窄脉宽、高幅值、宽频带的特点,瞬间释放的强电磁脉冲可通过多渠道与电子设备和集成电路发生耦合作用,致使电子电气产品失控甚至烧毁。随着电磁武器、电磁干扰和电磁兼容技术的不断发展,电磁脉冲及其防护受到了很多学者和科研人员的关注。因此研制电磁脉冲模拟器为实验分析、观察以及预测电子系统在复杂电磁环境中的抗干扰能力具有重要的价值。本文在分析电磁脉冲模拟器可实行性的基础上,研制一套前沿小于10ns、半高宽小于1us、输出电压0~40kV可调的双指数电磁脉冲源。具体工作内容和成果如下:利用Matlab对双指数脉冲电路建模仿真,分析回路中各元器件参数对脉冲波形的影响,确定电容容量和匹配吸收负载;使用基于有限元法的电磁仿真软件ANSYS对不同形状、不同半径和不同间距的气体自击穿开关进行电场仿真,计算气体自击穿开关器件主要参数,设计了半球头形间隙可调式气体自击穿开关。针对电磁脉冲源中储能电容充电电源的要求,研发出一套以STM32单片机为控制核心,利用VB界面进行远程控制的小型化、高稳定性的直流高压充电电源;并解决电磁脉冲源系统中的高压绝缘防护和自干扰的问题,使电磁脉冲源更加安全稳定地工作。对研制的电磁脉冲源整机进行单触发和连续触发模式测试;并做了不同吸收负载、放电间隙和工作气压对脉冲源输出特性影响的测试;测试结果表明该电磁脉冲源平均前沿8.5ns,平均半高宽808.1ns,幅值0~40kV可调,重复频率330Hz左右,满足产品技术指标要求,可应用于对电子产品的电磁防护性能的分析与测试研究。
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