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铁磁/反铁磁交换偏置薄膜结构是巨磁电阻自旋阀和磁性隧道结中的重要组件。本论文系统研究了Pt层厚度对IrMn/Co60Fe40/[Pt/Co90Fe10]和IrMn/Co60Fe40/[Co/Pt]交换偏置特性的影响。 本论文是在室温下通过直流磁控溅射在热氧化的单晶硅基片上沉积了IrMn/Co60Fe40/[Pt/Co90Fe10]和IrMn/Co60Fe40/[Co/Pt]两个系列的多层膜样品，使两系列样品中Pt层的厚度均不同。其中每个磁性层（Co，Co90Fe10和Co60Fe40）的厚度都选为6(A)，IrMn层上方第二个Pt层采用相对较大的厚度（15(A)或20(A)）以维持垂直磁化。其结果表明:在Pt层(t1，t2)取6(A)时，单一磁化状态的范围达到400 Oe左右，极大地超过了曾经报道的各种室温下的垂直交换偏置系统的性能。Co90Fe10体系和Co体系相比矫顽力明显较低且偏置场数值也相对较小，因此这两个体系获得的垂直交换偏置性能大致相当。IrMn/Co60Fe40/[Pt/Co]在实验中作为对比与IrMn/Co60Fe40/[Pt/Co90Fe10]垂直交换偏置性能随Pt层厚度的变化趋势相似。 在引入Co60Fe40插层的基础上我们做了两方面的改进，第一，用Co90Fe10/Pt作为被钉扎的铁磁层。第二，每一个Pt层均采用不同的厚度。本论文不仅提高了单一磁化状态的范围，并且所有样品均现出较强的垂直磁各向异性，垂直磁滞回线具有良好的方形度，这说明该体系还有继续改进的潜力。