半导体发光二极管可靠性研究及热特性分析

来源 :北京工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fuyaomama
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光电子产业是21世纪最受瞩目的高科技领域之一,并已成为衡量国家科技发展水平的重要标志。其中,半导体发光二极管(LED)以其高效、节能、环保、耐用、使用寿命长等特点,引领照明光源的发展趋势,成为官产学研各个领域都极重视的新兴产业。随着LED越来越广泛的应用于生产生活的各个方面,市场对LED可靠性的要求越来越高,同时如何从各个方面全面的评价LED的可靠性也成为生产消费各方共同关注的一个问题。 正是顺应这些需求,本论文主要从以下几方面展开研究工作: 首先,论述了可靠性测试的一些基本概念及发光二极管的失效机理,总结了可靠性测试的基本方法,以及数据分析的理论模型; 其次,对实验室研制的高亮度小功率红光LED和HP公司生产的小功率红光LED进行了温度应力的加速寿命试验及可靠性分析,在90℃,20mA的条件下,经6560小时的老化试验,实验室研制的有无ITO薄膜的两种LED,其光通量下降约25.3%,同时,HP的LED光通量下降约33.3%,外推这三种LED在90℃,20mA下的寿命分别为13706小时,13706小时及10704小时,可以得出实验室研制的LED在可靠性方面要优于HP公司生产的LED。 然后,对5支实验室研制环氧树脂封装的小功率红光LED进行了热过应力测试。在高温条件下,LED各项参数并无明显退化,180℃下全部突然失效。对3组各3支裸装LED进行了130mA、140mA及150mA的电过应力测试,出现电压升高现象,到2.3V以上突然失效。电流越大,电压升高越快。并详尽分析阐述了LED的几种失效机理。 接着,对大功率LED的温高低特性进行了研究,并且在低温条件下在线的测试了LED的相对光强与峰值波长等相关光参数,给出了LED各项性能参数曲线,分析了LED各项参数和温度的变化关系,随着LED结温的升高,LED的光电参数出现正向电压降低、相对光强减小、峰值波长红移等现象。最后分析了参数变化的原因以及对实际应用的影响。 最后介绍了Si衬底GaN基蓝光LED,并对南昌大学研制的Si衬底GaN基小功率蓝光LED进行了光电测试,同时,对Si衬底GaN基蓝光LED进行了在线的高低温特性的测试,得到随着结温的升高,Si衬底GaN基小功率LED的相对光强减小,峰值波长红移,电压降低且变化量大于普通蓝宝石衬底GaN基LED。
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