纳米ZnO光电气敏原型器件的设计及性质研究

来源 :吉林大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luke_2013
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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料,以其独特的性质在透明电子元件、UV光发射器、压电器件等领域广泛应用,越来越得到科研人员的关注。本论文根据ZnO优异的光电性能,首次研究开发了一种新型的光电气敏传感原型器件,利用光激发改变载流子浓度的方法代替传统的加热升温,初步实现在室温下检测不同性质的气体。我们建立了表面光电流-气敏检测装置,首次设计并使用了ITO梳状电极,利用染料敏化和金属掺杂的方法将光电流响应扩展至可见区,研究了不同吸附质对表面光生电荷的影响,讨论了光生电荷产生和传递的微观过程,达到了利用可见光进行气敏检测的目的。
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