基于石墨烯的PbI2/PbS异质结光电性质研究

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光电探测器作为将光信号转化为电信号的载体,在军事领域和民用领域均有广泛的应用。当前,面对复杂环境条件下苛刻的探测需求,传统单一波段的光电探测器已无法胜任。而跨波段、宽光谱的光电探测器的研发受到了广泛关注。如何能在复杂环境中高效获取准确的图像信息变得尤为重要,由此双波段或多波段融合的光电探测系统应运而生。但是目前研发的双波段或多波段探测系统通常是采用两套甚至多套独立的探测系统组装而成,此类系统的制作成本高,而且体积过大,与现在探测系统高度集成化、微型化和轻量化的思路相违背。因此,如何通过单一探测器采集和判别双波段或者多波段信息,从而实现室温条件下宽光谱探测是解决上述问题的关键。鉴于此,本文提出了一种制备宽光谱探测器的方法,通过在PbI2薄膜表面原位生长PbS层构筑异质结,并将石墨烯与PbI2/PbS异质结相结合,融合多材料性能优势,实现了可见-近红外的宽光谱响应,该研究为制备全天时宽光谱响应的阵列光电探测器提供了一种极具应用潜力的思路与方法。具体研究内容如下:(1)本文采用旋涂工艺制备了PbI2薄膜。研究和分析了混合溶剂比例、溶液浓度、放置时间、基底材料种类等工艺参数对PbI2薄膜质量的影响,通过表征分析表明,在转速6000r/min,时间30s的旋涂工艺下,溶液浓度为1.75mol/L,二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)配比为9:1的PbI2溶液可以在钙钠玻璃表面形成平整、厚度均一的PbI2薄膜。在此基础上,研究了PbI2薄膜器件的光电特性,发现在450nm波段下,偏压为30V时,PbI2薄膜器件的响应度2400μA/W,比探测率1.8×1010 Jones,上升和下降时间分别为0.69s和0.80s。(2)通过原位化学置换反应在PbI2薄膜上生长PbS,成功制备出PbI2/PbS异质结。结合扫描电子显微镜(SEM)对生成物截面的观察,研究了PbS层的原位生长时间对PbS层厚度的影响。通过拉曼光谱(Raman)和X射线衍射谱(XRD)测试,验证了PbI2/PbS异质结的物相,并讨论和分析了PbI2/PbS异质结的生长机理。吸收光谱测试结果表明,当生长时间为20s时,PbI2/PbS异质结具有最佳的光吸收特性。光电特性测试结果表明,PbI2/PbS异质结器件在可见光及近红外波段均有响应,在450nm波段下,偏压为30V时,PbI2/PbS异质结光电探测器的响应度750m A/W,比探测率1.4×1011Jones上升和下降时间分别0.40s和0.42s。相比于PbI2薄膜光电器件,响应率提升了300倍,比探测率提升了7.8倍,响应时间减少了42%。在980nm波段下,偏压为30V时,PbI2/PbS异质结光电探测器的响应率1.36m A/W,比探测率1.8×10~8Jones。上升和下降时间分别0.25s和0.45s。(3)制备了PbI2/PbS/石墨烯异质结,光电特性测试结果表明,PbI2/PbS/石墨烯异质结的光谱吸收范围与PbI2/PbS异质结一致,光子吸收率略高于PbI2/PbS异质结。值得意的是PbI2/PbS/石墨烯异质结器件出现了光谱自适应分辨探测现象,即在400nm-515nm波段下,出现了负光电导效应,而在515nm-1100nm波段下恢复到正光电导效应。在3V偏压下,入射光波长为450nm时,器件的响应率为-1.2A/W,响应时间为13.2s,恢复时间为17.7s。在相同偏压下,入射光波长为980nm时,器件的响应率为0.38m A/W,比探测率为3.5×10~6Jones,器件的上升时间为0.25s,下降时间为0.40s。
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