二维光子晶体的完全禁带及缺陷特性研究

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光子晶体是一种具有周期性介电常数的新型人造晶体,它最主要的特征就是具有光子带隙。由于其独特的性能和潜在的巨大应用,人们对光子晶体的理论分析和实验研究产生了极大的兴趣。目前,二维光子晶体完全禁带以及缺陷特性仍然是该领域的重要研究方向。本文计算了Al2O3、Si、Ge三种材料的二维介质柱型光子晶体和空气柱型光子晶体完全禁带与晶格结构、填充比、介电常数比等三个主要影响因素之间的关系。根据计算结果,我们主要针对三种易出现完全带隙的结构进行了重点计算。改变其介电常数比从8-40,同时改变填充比,以寻找最大禁带结构参数,研究其带隙变化规律。对二维正方晶格光子晶体点缺陷的带结构进行了计算。计算了二维光子晶体直波导和L形弯曲波导的带结构和其中的局域模式,同时对其传输特性进行了模拟。
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