硅漂移(SDD)探测器是一种基于侧向耗尽原理的核辐射探测器。这种探测器因为比一般Si(Li)探测器输出电容小、电子噪声小、且只要简单的半导体制冷就能达到需要采用液氮制冷的Si(Li)探测器的能量分辨率等优点,使得其在能谱的定量分析、医学成像、空间探测等领域中有着重要应用。而探测效率是SDD探测器重要的技术指标之一,探测器的尺寸参数不同、实验样品与探测器的几何位置的差异,都会造成探测效率不同。因此,对探测器效率刻度的研究具有重要的实际意义。本论文以德国KETEK公司生产的VITUS H80型大探头SDD探测器为研究对象,进行以下工作:1.分别采用相对效率刻度法、理论模型计算法及无源刻度法对SDD探测器低能区进行效率刻度。其中,相对效率刻度法是通过SDD探测器收集到的19 keV电子碰撞纯厚碳靶产生的实验轫致辐射谱与PENELOPE模拟得到相应的理论轫致辐射谱的比值,获取相对效率刻度曲线,然后采用241Am标准放射源确定效率刻度曲线的绝对值;理论模型计算法是基于理论模型计算公式;无源刻度法是采用PENELOPE程序对SDD探测器的几何结构进行建模,并保持模拟的初始条件与实验一致,对探测效率进行模拟。2.241Am刻度谱的模拟。同样基于PENELOPE程序建立的SDD探测器的几何模型,为了能与241Am实验谱进行对比,对程序中相应代码进行修改,使得PENELOPE模拟能谱的全能峰符合高斯分布。3.正电子与Al厚靶碰撞产生的X射线能谱的模拟。使用PENELOPE程序搭建一个实验中所用A1厚靶样品的模型并结合SDD探测器的几何模型,对相应物理过程进行模拟。4.完成元素特征X能谱识别程序的开发。应用FORTRAN语言,对ENDF/B-Ⅶ.1数据库中的原子参数子库中元素K、L、M壳层的特征X射线信息进行提取,并完成相应的特征X射线能量信息的检索功能。通过对比发现,三种刻度方法得到的探测效率曲线在刻度能区符合度较高;241Am的模拟能谱与实验能谱在高能区也较为符合,并讨论了低能区有差异的原因。同时,正电子碰撞A1靶产生的X射线模拟能谱与实验能谱的差异原因也在本文进行了讨论。