本文研究了节瘤缺陷的电场增强效应,探究了不同条件下节瘤缺陷的电场增强规律。并基于电子束蒸发薄膜制备技术,采用人工种植节瘤缺陷的方式研究了节瘤缺陷对HfO2/SiO2高反膜激光损伤的影响。首先,我们采用时域有限差分法对节瘤缺陷的电场增强效应进行了模拟,根据电子束蒸发节瘤缺陷几何模型,对不同条件下,节瘤缺陷的电场增强效应展开了较为全面的仿真。仿真结果同文献相比存在一些相似和不同的结论,具体如下:节瘤缺陷的电场增强效应随种子尺寸的增大而增大,在种子尺寸达1500nm时,电场增强效应增长趋势趋于平缓;与基片表面上的节瘤缺陷相比,膜层中的节瘤缺陷往往具有更大的电场增强效应,在膜层中部位置达到最大,为基片表面的2倍;当种子为HfO2和SiO2时,在种子尺寸为2000 nm时HfO2具有更大的电场增强效应,约为SiO2的2倍;对比不同波长的节瘤缺陷电场增强效应,可以看到波长越短节瘤缺陷电场增强效应越大;激光斜入射时,电场增强效应出现在节瘤缺陷侧面的轮廓处,入射角越大,其位置越靠近节瘤缺陷上侧;除此之外,我们还对节瘤缺陷喷溅坑、不同膜层周期数及双SiO2种子微球生成的节瘤缺陷进行了仿真。其次,采用亚微米、微米尺寸(300 nm～2000 nm)的SiO2微球种子人为地制造了节瘤缺陷,通过R-on-1损伤测试方法进行了相应的节瘤缺陷损伤实验。结果表明,在基频1064 nm@10 ns激光作用下,薄膜中节瘤缺陷的密度越大,薄膜的损伤阈值愈低;节瘤缺陷尺寸越大薄膜损伤阈值呈一定的降低趋势;位于基片表面的节瘤缺陷比位于膜层中部的节瘤缺陷更易引起薄膜损伤;激光45°斜入射高反膜时,损伤阈值随节瘤缺陷尺寸增大而降低,通过对损伤形貌观测发现节瘤缺陷出现损伤的位置与对应的电场增强区位置一致;三倍频(355 nm@8 ns)高反膜损伤实验表明,其损伤形貌表现为吸收性薄膜损伤,但节瘤缺陷对三倍频高反膜的损伤也存在一定的影响。对比节瘤缺陷的电场增强效应与其损伤特性可以看到,两者之间存在一定偏差,节瘤缺陷引起薄膜损伤的规律和电场增强效应不完全一致,但从节瘤缺陷的损伤形貌可以看出电场增强效应是引起薄膜损伤的重要原因。本研究聚焦于对薄膜具有较大危害的节瘤缺陷,研究了其电场增强效应及损伤特性,为后续对节瘤缺陷的控制提供了一定帮助,为研制高阈值的薄膜元件提供有力的支撑。