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氧化锌(ZnO)是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,其室温下的禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,理论上可以实现室温下的紫外光受激发射,这使其有望成为制造紫外光电器件的理想材料。但是目前Zn0同质结发光二极管(LED)和激光二极管(LD)仍处于研究阶段,远未达到商业化应用水平,其中的一个重要原因就是高质量的p型ZnO难于制备。针对这一情况,本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术对p型ZnO薄膜的制备进行了较为细致的研究,主要研究内容概括如下：在不同生温度下制备了四组未掺杂ZnO薄膜,发现55℃生长的薄膜结晶质量和发光特性最好。这表明,在我们的实验条件下,550℃是生长ZnO薄膜较为理想的温度。制备了掺Sb的ZnO薄膜,研究了退火温度和生长温度对ZnO:Sb薄膜性质的影响。发现550℃生长、950℃退火的ZnO:Sb薄膜导电类型为p型,空穴浓度达到2.290x1017cm-3。该样品低温PL谱出现了强烈的A0X跃迁。通过与相同条件制备的未掺杂ZnO薄膜低温PL谱对比,证实了A0X发光峰与Sb的掺入有关。氧空位是Zn0中一种常见的施主缺陷,为了防止高温退火使样品中的氧原子逃逸而产生氧空位,我们在ZnO:Sb薄膜上面覆盖了一层A1N薄膜,研究了AlN层对ZnO:Sb薄膜的保护作用。实验结果表明,在较高温度下AlN层能够减少氧原子的逃逸,对ZnO:Sb薄膜起到有效保护作用。这有利于制备高质量p型ZnO薄膜。制备了掺P的ZnO薄膜,研究了生长温度对ZnO：P薄膜性质的影响。350℃和450℃生长的样品呈现p型导电性,其中450℃生长的样品具有较低的电阻率1.846Ω·cm,和较高的霍尔迁移率6.63 cm2V-1s-1。低温PL谱测试结果显示350℃和450℃生长的样品出现了很强的A0X跃迁。通过与相同条件制备的未掺杂ZnO薄膜低温PL谱比较,证实了ZnO：P样品PL谱中的A0X发光峰与P的掺入有关。初步研究了不同生长温度对掺Ag的ZnO薄膜PL谱的影响,由室温PL谱测试结果推测,掺入ZnO中的Ag在350℃和450℃这样相对较低的生长温度下对氧空位的形成有抑制作用。